필터
필터
전자적 IC 칩
이미지 | 부분 # | 기술 | 제조 업체 | 주식 | 가격 요구 | |
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GRM033R71E331MA01D 새롭고 원본식품 |
세라믹 콘덴서
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무라타
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GRM033R71E332KA12D 새롭고 원본 주식 |
3300pF ±10% 25V 세라믹 커패시터 X7R 0201(0603 미터법)
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무라타
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GRM033R71E391KA01D 새롭고 원본식품 |
390pF ±10% 25V 세라믹 커패시터 X7R 0201(0603 미터법)
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무라타
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GRM033R71E471KA01D 새롭고 원래의 주식 |
470pF ±10% 25V 세라믹 커패시터 X7R 0201(0603 미터법)
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무라타
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GRM033R71E681KA01D 새롭고 원래의 재고 |
680pF ±10% 25V 세라믹 커패시터 X7R 0201(0603 미터법)
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무라타
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GRM033R71E471MA01D 새롭고 원본식품 |
세라믹 콘덴서
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무라타
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GRM033R71E561KA01D 새롭고 원래의 재고 |
560pF ±10% 25V 세라믹 커패시터 X7R 0201(0603 미터법)
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무라타
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GRM033R71H101KA12D 새롭고 원본 주식 |
100pF ±10% 50V 세라믹 커패시터 X7R 0201(0603 미터법)
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무라타
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GRM033R71H101MA12D 새롭고 원본식품 |
100pF ±20% 50V 세라믹 커패시터 X7R 0201(0603 미터법)
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무라타
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GRM033R71H102MA12D 새롭고 원본식품 |
1000pF ±20% 50V 세라믹 커패시터 X7R 0201(0603 미터법)
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무라타
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GRM033R71E681MA01D 새롭고 원래의 주식 |
세라믹 콘덴서
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무라타
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GRM033R71H101MA12D 새롭고 원본식품 |
100pF ±20% 50V 세라믹 커패시터 X7R 0201(0603 미터법)
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무라타
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GRM033R71H151KA12D 새롭고 원본 주식 |
150pF ±10% 50V 세라믹 커패시터 X7R 0201(0603 미터법)
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무라타
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GRM033R71H151MA12D 새롭고 원본 주식 |
150pF ±20% 50V 세라믹 커패시터 X7R 0201(0603 미터법)
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무라타
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GRM033R71H152MA12D 새롭고 원본 주식 |
1500pF ±20% 50V 세라믹 커패시터 X7R 0201(0603 미터법)
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무라타
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GRM033R71H221KA12D 새롭고 원본 주식 |
220pF ±10% 50V 세라믹 커패시터 X7R 0201(0603 미터법)
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무라타
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GRM033R71H331KA12D 새롭고 원본 주식 |
330pF ±10% 50V 세라믹 커패시터 X7R 0201(0603 미터법)
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무라타
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GRM033R71H331MA12D 새롭고 원본 주식 |
330pF ±20% 50V 세라믹 커패시터 X7R 0201(0603 미터법)
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무라타
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GRM033R71H681KA12D 새롭고 원본식품 |
680pF ±10% 50V 세라믹 커패시터 X7R 0201(0603 미터법)
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무라타
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GRM033R71H471KA12D 새롭고 원본식품 |
470pF ±10% 50V 세라믹 커패시터 X7R 0201(0603 미터법)
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무라타
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GRM033R71H471MA12D 새롭고 원본식품 |
470pF ±20% 50V 세라믹 커패시터 X7R 0201(0603 미터법)
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무라타
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GRM033R71E332MA12D 새롭고 원본 주식 |
3300pF ±20% 25V 세라믹 커패시터 X7R 0201(0603 미터법)
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무라타
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2N7002 칩 다이오드 새롭고 원본 주식 |
N채널 60V 200mA(Tc) 350mW(Tc) 표면 실장 SOT-23-3
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스트미크로일렉트로닉스
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BCX51-16E6327 칩 다이오드 새롭고 원본 재고 |
양극(BJT) 트랜지스터 PNP 45V 1A 125MHz 2W 표면 실장 PG-SOT89-4-2
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인피네온
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PMEG4010CEH,115 칩 다이오드 신규 및 오리지널 스톡 |
다이오드 40V 1A 표면 실장 SOD-123F
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중국에서 만들어집니다
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BAS40-05 칩 다이오드 새롭고 원본 재고 |
다이오드는 1 쌍 공통 캐소드 40 V 200mA 표면 부착 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3을 배치합니다
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디오테크 반도체
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PDTA143ZE,115 칩 다이오드 신규 및 오리지널 스톡 |
사전 바이어스 양극성 트랜지스터(BJT) PNP - 사전 바이어스 50V 100mA 150mW 표면 실장 SC-75
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NXP
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BT2국제산업기구 BT2국제산업기구 |
트라이액 논리 - 민감한 600번 게이트 V 관통 홀 당 4 TO-220AB
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NXP
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BUK7510-100B,127 칩 다이오드 |
N채널 100V 75A(Tc) 300W(Tc) 스루홀 TO-220AB
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NXP
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PHD97NQ03LT,118 칩 다이오드 신규 및 원본 재고 |
N채널 25V 75A(Tc) 107W(Tc) 표면 실장 DPAK
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넥스페리아
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BCV47-QVL 칩 다이오드 새롭고 원본 재고 |
양극(BJT) 트랜지스터 NPN - 달링턴 60V 500mA 250mW 표면 실장 TO-236AB
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넥스페리아
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PMN45EN,135 칩 다이오드 새롭고 원본 재고 |
N채널 30V 5.2A(Tc) 1.75W(Tc) 표면 실장 6-TSOP
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넥스페리아
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BAS70-05 고전압 다이오드 신규 및 원본 |
다이오드는 1 쌍 공통 캐소드 70 V 70mA 표면 부착 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3을 배치합니다
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디오테크 반도체
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BSS123 칩 다이오드 새롭고 원본 재고 |
엔-채널 100 V 200mA (Ta) 350mW (Ta) 표면 부착 SOT-23
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앙본 세미
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BC857W-QF 칩 다이오드 신규 및 원본 재고 |
양극성 (BJT) 트랜지스터 PNP 45 V 100 마 100MHz 200 mW 표면 부착 SOT-323
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넥스페리아
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2N7002E 칩 다이오드 새롭고 원본 재고 |
엔-채널 60 V 340mA (Ta) 350mW (Ta) 표면 부착 SOT-23
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앙본 세미
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PESD3V3L1BA 고전도 다이오드 새고 원본 |
24V 클램프 20A (8/20us) 립 전압 억제 다이오드 표면 부착 SOD-323
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제조업자
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BAS40-06 칩 다이오드 새롭고 원본 재고 |
다이오드는 1 쌍 공통 양극 40 V 200mA 표면 부착 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3을 배치합니다
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디오테크 반도체
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PESD5V0F1BL,315 고전압 다이오드 신규 및 원본 |
15V 클램프 2.5A(8/20μs) Ipp Tvs 다이오드 표면 실장 DFN1006-2
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넥스페리아
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BAT54SW 고전압 다이오드 새 및 원본 재고 |
다이오드 배열 1 쌍 직렬 접속 30 V 200mA (DC) 표면 부착 SC-70, SOT-323
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대만 세미컨덕터사
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PMN45EN,135 칩 다이오드 새롭고 원본 재고 |
N채널 30V 5.2A(Tc) 1.75W(Tc) 표면 실장 6-TSOP
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NXP
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PUMT1 칩 다이오드 새롭고 원본 재고 |
양극(BJT) 트랜지스터 어레이 2 PNP(이중) 40V 100mA 100MHz 300mW 표면 실장 6-TSSOP
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넥스페리아
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BAV70SRAZ 칩 다이오드 새롭고 원본 재고 |
다이오드 어레이 2쌍 공통 음극 100V 355mA(DC) 표면 실장 6-XFDFN 노출형 패드
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넥스페리아
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BZA968A,115 고전류 다이오드 신규 및 원본 |
클램프 Ipp TV 다이오드 표면 실장 SOT-665
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넥스페리아
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BAT54C 칩 다이오드 새롭고 원본 재고 |
다이오드
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제조업자
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BAT120C,115 고전압 다이오드 새 및 원본 재고 |
다이오드 배열 1 쌍 공통 캐소드 25 V 1A (DC) 표면 부착 TO-261-4, TO-261AA
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넥스페리아
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BC817-16 고전류 다이오드 새 및 원본 재고 |
양극(BJT) 트랜지스터 NPN 45V 800mA 100MHz 310mW 표면 실장 SOT-23-3
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다이오드
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BSS123 칩 다이오드 새롭고 원본 재고 |
N채널 100V 190mA(Ta) 300mW(Ta) 표면 실장 SOT-23
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굿-아크 반도체
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BAT54A 고전압 다이오드 신규 및 원본 |
다이오드는 1 쌍 공통 양극 30 V 200mA (DC) 표면 부착 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3을 배치합니다
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대만 세미컨덕터사
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BAS316 칩 다이오드 새롭고 원본 재고 |
다이오드 100 V 250mA 표면 부착 SOD-323
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대만 세미컨덕터사
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