HALF - BRIDGE DRIVER ic 전자 부품, 통합 부품 IR2109S
electronics ic chip
,integrated circuit ic
하프 브리지 드라이버
IR2109(4) (소)
특징
• 부트스트랩 작동을 위해 설계된 플로팅 채널 +600V까지 완벽하게 작동 음의 과도 전압에 대한 내성 dV/dt 면역
• 10~20V의 게이트 드라이브 공급 범위
• 두 채널 모두에 대한 저전압 차단
• 3.3V, 5V 및 15V 입력 로직 호환 가능
• 교차 전도 방지 논리
• 두 채널 모두에 대해 일치하는 전파 지연
• IN 입력과 위상이 일치하는 하이 사이드 출력
• 로직 및 전원 접지 +/- 5V 오프셋.
• 내부 540ns 불감 시간 및 최대 5us 프로그래밍 가능
하나의 외부 RDT 저항(IR21094) 포함
• 더 나은 잡음 내성을 위한 더 낮은 di/dt 게이트 드라이버
• 종료 입력은 두 채널을 모두 끕니다.
설명
IR2109(4)(S)는 고전압, 고속 전력 MOSFET 및 IGBT 구동기로서 종속적인 고측 및 저측 참조 출력 채널이 있습니다.독점 HVIC 및 래치 면역 CMOS 기술은 견고한 모놀리식 구조를 가능하게 합니다.로직 입력은 3.3V 로직까지 표준 CMOS 또는 LSTTL 출력과 호환됩니다.출력 드라이버는 최소 드라이버 IR21094 IR2109 패키지 IR2109(4) (S) 데이터 시트 번호 PD60163-P VOFFSET 600V max.IO+/- 120mA / 250mA VOUT 10 - 20V ton/off(typ.) 750 & 200ns 불감 시간 540ns(IR21094의 경우 최대 5uS까지 프로그래밍 가능) 제품 요약 www.irf.com 1 VCC VB VS HO COM LO IN SD SD IN 최대 600V TO LOAD VCC IN 최대 600V TO LOAD VCC VB VS HO LO COM IN DT VSS SD VCC SD VSS RDT 8 리드 PDIP 14 리드 PDIP 8 리드 SOIC 14 리드 SOIC 교차 전도.플로팅 채널은 최대 600볼트에서 작동하는 하이 사이드 구성에서 N채널 전력 MOSFET 또는 IGBT를 구동하는 데 사용할 수 있습니다.
리드 정의
| 상징 | 설명 |
| 안에 | 하이 사이드 및 로우 사이드 게이트 드라이버 출력(HO 및 LO)을 위한 로직 입력, HO와 동위상(IR2109의 경우 COM 및 IR21094의 경우 VSS 참조) |
| SD | 종료를 위한 논리 입력(IR2109의 경우 COM 및 IR21094의 경우 VSS 참조) |
| DT | 프로그래밍 가능한 데드 타임 리드, VSS 참조.(IR21094만 해당) |
| VSS | 논리 접지(21094만 해당) |
| VB | 하이사이드 플로팅 공급 |
| 호 | 하이 사이드 게이트 드라이브 출력 |
| VS | 하이 사이드 플로팅 서플라이 리턴 |
| VCC | 로우 사이드 및 로직 고정 전원 |
| 봐라 | 로우 사이드 게이트 드라이브 출력 |
| COM | 로우 사이드 리턴 |